Výrobca Číslo produktu:
TSM4N60ECH C5G
Product Overview
Výrobca:
Taiwan Semiconductor Corporation
Číslo dielu:
TSM4N60ECH C5G-DG
Popis:
MOSFET N-CHANNEL 600V 4A TO251
Podrobný popis:
N-Channel 600 V 4A (Tc) 86.2W (Tc) Through Hole TO-251 (IPAK)
Inventár:
12899272
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
TSM4N60ECH C5G Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Taiwan Semiconductor
Balenie
-
Seriál
-
Stav produktu
Obsolete
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
600 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
4A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
2.5Ohm @ 2A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
5V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
12 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±30V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
545 pF @ 25 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
86.2W (Tc)
Prevádzková teplota
150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balík zariadení dodávateľa
TO-251 (IPAK)
Balenie / puzdro
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Základné číslo produktu
TSM4N60
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
3,750
Iné mená
TSM4N60ECH C5G-DG
TSM4N60ECHC5G
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatívne modely
ČÍSLO DIELU
IPS80R2K4P7AKMA1
VÝROBCA
Infineon Technologies
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
0
ČÍSLO DIELU
IPS80R2K4P7AKMA1-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.37
Typ substitútu
Similar
ČÍSLO DIELU
TSM4NB60CH C5G
VÝROBCA
Taiwan Semiconductor Corporation
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
22491
ČÍSLO DIELU
TSM4NB60CH C5G-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.35
Typ substitútu
MFR Recommended
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
DMS2120LFWB-7
MOSFET P-CH 20V 2.9A 8DFN
BUK9840-55,115
MOSFET N-CH 55V 5A SOT223
TSM061NA03CR RLG
MOSFET N-CH 30V 88A 8PDFN
